[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-7] 低温高圧酸化によるEOT 1.2nm Ge/GeO₂スタックの形成 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○李忠賢^1,2，西村知紀^1,2，田畑俊行^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大¹，JST-CREST²)

キーワード：Germanium