[28p-G20-1~16] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28p-G20-7] 電気二重層ゲートによるInAs量子ドットの電子状態の変調 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○柴田憲治^1,2，Hongtao Yuan³，岩佐義宏^3,4，平川一彦^1,2,5 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，東大院工³，理研 CERG⁴，CREST-JST⁵)

キーワード：InAs量子ドット、トランジスタ、電気二重層