[28p-G22-1~19] 15.6 IV族系化合物

[28p-G22-3] Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○畑山紘太¹，山本圭介^2,3，王冬¹，中島寛² (九大・総理工¹，九大・産学セ²，学振特別研究員³)

キーワード：SiC、Ohmic Contact