[28p-G5-1~15] 14.4 光物性・発光デバイス

[28p-G5-2] InAs/InGaAsP/InP量子ドット構造半導体の発光現象の解析 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（M1）佐藤里枝，中村茉莉也，今井元 (日女大理)

キーワード：InP