2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 半導体表面

[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

2013年3月28日(木) 13:00 〜 16:45 G8 (B5号館 2F-2202)

[28p-G8-3] △硫黄終端したGe(111)表面の作製と評価 (1:30 PM ~ 1:45 PM)

英良和,鈴木仁,高萩隆行,坂上弘之 (広島大先端研)

キーワード:Ge表面、硫黄終端