[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-19] TiO₂薄膜堆積によるGaN光触媒のバンド端電位シフト (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐野双美¹，脇一太郎¹，岡部伸宏¹，藤井克司²，杉山正和² (昭和シェル中研¹，東大先端研²)

キーワード：光触媒、GaN、TiO2