[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-28] 炭化Si基板上へのAlGaN/GaN結晶成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○坂本達哉^1,2，若林成彰^1,2，高橋言緒²，井手利英²，清水三聡²，高梨良文¹ (東理大院基礎工¹，産総研先進パワエレ²)

キーワード：GaN、MOCVD