[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-9] InGaN厚膜を有するpin接合の電気的評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中野由崇¹，新部正人²，Michael Lozac'h³，Liwen Sang³，角谷正友³ (中部大総工研¹，兵庫県立大高度研²，物材機構³)

キーワード：InGaN、太陽電池、欠陥準位