[28p-PB3-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[28p-PB3-4] MWPCVDプロセスによるp-i-p型ダイヤモンドFETの構造適正化 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（M1）早川光，毎田修，伊藤利道 (阪大院工)

キーワード：ダイヤモンド、ＦＥＴ、p-i-p