[29a-B4-1~11] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[29a-B4-3] InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○三浦広平^1,2，猪口康博¹，河村裕一²，室岡純平³，片山晴善³，菅野翔太⁴，竹川智子⁴，木股雅章⁴ (住友電工¹，大阪府大²，ＪＡＸＡ³，立命大⁴)

キーワード：ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超格子、ＩｎＰ、分子線エピタキシー