[29a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[29a-G21-6] △(1102)基板上へのAlNホモエピタキシーにおける成長圧力の最適化 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○市川修平¹，船戸充¹，永田俊郎²，川上養一¹ (京大院工¹，JFEミネラル²)

キーワード：半極性面、AlN、成長