[29a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29a-G9-4] InAs/Siヘテロ接合を用いたp型トンネルFETの試作 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○冨岡克広^1,2，吉村正利¹，福井孝志¹ (北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ²)

キーワード：tunnel FET、ナノワイヤ、III-V