[29a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[29a-G9-6] ▼Ab initio study of binding energy for single phosphorus donor in silicon nano stub-shaped channel (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○Le The Anh¹，葛屋陽平²，ダニエル モラル²，水野武志²，マノハラン ムルガナタン¹，田部道晴²，水田博^1,3 (北陸先端大¹，静大電研²，サザンプトン大³)

キーワード：状態密度、単一ドーパント、第一原理計シミュレーション