2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[29p-F1-1~17] 6.4 薄膜新材料

2013年3月29日(金) 14:00 〜 18:45 F1 (E3号館 1F-102)

[29p-F1-7] △化学気相堆積法を用いたSi基板上へのc-BN薄膜成長 (3:45 PM ~ 4:00 PM)

小林正典1,宮下英俊2,小野崇人1 (Tohoku Univ.1,Tottori Univ.2)

キーワード:窒化ホウ素、c-BN、CVD