[29p-F2-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[29p-F2-5] △VLS法を用いた単結晶NiOナノワイヤの創成および抵抗変化メモリ特性 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○長島一樹¹，柳田剛¹，金井真樹¹，Baeho Park²，川合知二^1,2 (阪大産研¹，建国大²)

キーワード：ナノワイヤ、NiO、抵抗変化メモリ