[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-12] 水素不純物を低減したアモルファス酸化物a-In-Ga-Zn-Oの電気特性とTFT特性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○神谷利夫，宮瀬貴也，堂免恵，野村研二，細野秀雄 (東工大)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、水素不純物、薄膜トランジスタ