[29p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[29p-G19-16] バイアス電圧印加PLD法によるZnO薄膜を用いて作製した薄膜トランジスタ (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○虻川雄矢，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県大システム科学)

キーワード：薄膜トランジスタ、酸化亜鉛、化学量論比