[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-16] 分子線エピタキシーによるGaNAs薄膜成長におけるN起因の欠陥と水素照射の効果 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○（M2）松田涼^1,2，宮下直也¹，ムハマド イスラム イスラム¹，ナズムル アーサン¹，岡田至崇^1,2 (東大先端研¹，東大院工²)

キーワード：希釈窒化物半導体、分子線エピタキシー