[30a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[30a-G21-4] N極性InGaN/GaN 量子井戸構造の作製および評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○岸川英司¹，上野耕平²，井上茂¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,3 (東大生研¹，東大院工²，JST-CREST³)

キーワード：N極性、InGaN、MQW