[30p-A7-1~8] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[30p-A7-2] MBE法により作製したエピタキシャルCo₃FeN薄膜の負のAMR効果 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○佐内辰徳¹，伊藤啓太¹，都甲薫¹，鹿原和樹²，角田匡清²，末益崇¹ (筑波大院 電物¹，東北大院 電情応物²)

キーワード：Co3FeN、負のAMR効果、スピン