[30p-G19-1~7] 15.1 バルク結晶成長

[30p-G19-1] 赤外線集中加熱浮遊帯域溶融(IR-FZ)法で育成したSi結晶中の炭素不純物の低減 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○綿打敏司^1,2，柳本一樹¹，長尾雅則¹，田中功¹，渡辺崇司³，進藤勇³ (山梨大院クリスタル研¹，JST-さきがけ²，クリスタルシステム³)

キーワード：浮遊帯域溶融法、シリコン、結晶成長