[30p-G21-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[30p-G21-6] △InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○井上航平¹，金田昭男¹，船戸充¹，川上養一¹，岡本晃一² (京大工¹，九大化²)

キーワード：窒化物半導体、非輻射再結合