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一般セッション(ポスター講演)

合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PA5-1~22] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年9月17日(水) 16:00 〜 18:00 PA5 (第1体育館)

ポスター掲示時間16:00～18:00(PA5会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[17p-PA5-1] 硝酸銅(II)三水和物を原料とする溶液成長法によるCu₂O薄膜の低温成長

北峯誠之¹，一ノ谷光²，平松知晃²，福井一平²，真鍋豪²，脇坂俊也²，^○寺迫智昭¹ (愛媛大院理工¹，愛媛大工²)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-2] ゾル・ゲルディップ法により作成したZnCdO薄膜の結晶性

^○安田隆，小池真俊 (石巻専修大)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-3] 常圧N₂/O₂リモートプラズマを用いたZnO薄膜のCVD成長における不純物取り込みと伝導機構

^○（DC）野瀬幸則¹，木口拓也¹，吉村武¹，芦田淳¹，上原剛²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，積水化学²)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-4] 硝酸亜鉛六水和物と硝酸銅(II)三水和物を用いた溶液成長法によるZnO/CuOヘテロ接合の形成

^○寺迫智昭¹，ヌルアシキンハンバリ²，ヌルル・アズヤティージャヤ²，一ノ谷光³，平松知晃³，福井一平³，真鍋豪³，脇坂俊也³，アブドルマナフハシム²，白方祥¹ (愛媛大院理工¹，マレーシア工科大 MJIIT²，愛媛大工³)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-5] 触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてガラス基板上に堆積したZnO薄膜のN₂O添加初期成長膜の挿入効果

^○大橋優樹，叶内慎吾，山口直也，玉山泰宏，安井寛治 (長岡技科大工)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-6] 触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO薄膜の転位分布

^○中村友紀，石塚侑己，山口直也，玉山泰宏，安井寛治 (長岡技科大)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-7] 電気化学堆積法による六角柱状ZnOの結晶成長

^○木田正紀，鈴木聡 (木更津高専)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-8] ライデンフロスト効果を利用したミストCVDによるFe2O3/Ga2O3多重量子井戸の作製

^○川原村敏幸^1,2，鄧太江⁴，新田紀子^1,3 (高知工大総研¹，高知工大シス工²，高知工大環境理工³，カンタベリー大⁴)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-9] RPE-MOCVD成長によるZnCdMgO四元混晶バンドギャップ制御

^○中村篤志，仁枝嘉昭，鈴木麻里，天明二郎 (静大院工)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-10] Al添加ZnO薄膜中の極性反転界面

^○安達裕，坂口勲，大橋直樹 (物材機構)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-11] ZnO/Zn_1-xMn_xO/ZnOヘテロ界面における二次元量子構造の形成と自発分極の影響

^○岩崎裕徳，中村立，吉村武，芦田淳，藤村紀文 (大阪府立大院工)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-12] ウルツ鉱Mg_xZn_1-xOの分極の理論計算

^○島田和宏，藤原大亮，高橋弘樹，加藤ひとし，平松友康 (関東学院大理工)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-13] ワイドギャップ半導体β-Ga2O3単結晶のテラヘルツ波吸収測定

^○齋藤伸吾¹，尾沼猛儀²，佐々木公平³，倉又朗人³，関根徳彦¹，笠松章史¹，東脇正高¹ (情通機構¹，東京高専²，タムラ製作所³)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-14] 硬X線光電子分光法によるIn₂O₃単結晶の電子状態評価

^○長田貴弘¹，オリバービアワーゲン²，ビニュエフガラッカ³，上田茂典⁴，吉川英樹¹，井村将隆¹，山下良之¹，呉承俊¹，坂田修身⁴，知京豊裕¹ (物材機構¹，パウル・ドルーテ固体電子工学研究所²，ライプニッツ結晶成長研究所³，SPring-8物材機構⁴)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-15] Ga添加ZnO膜における軸長と電気特性の相関

^○山田容士，舩木修平，菊池大樹，井上創太 (島大総理工)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-16] NTO/GZO積層膜の電気特性の面内分布と真空アニール効果

^○菊池大樹，井上創太，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

16:00 〜 18:00

▲ [17p-PA5-17] ITO/Al Transparent Electrode for Near Ultraviolet Light Emitting Diodes

^〇Kim Min Ju，Woo Kie Young，Lee Byeong Ryong，Kim Sukwon，Shin Hee Woong，Park Tae Hoon，Kim Kyeong Heon，Kim Su Jin，Kim Tae Geun (School of Electrical Engineering, Korea Univ.)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-18] Ta:SnO₂透明導電膜における低基板温度でのシード層の有効性

^○中尾祥一郎^1,2，山田直臣³，廣瀬靖^1,2,4，長谷川哲也^1,2,4 (KAST¹，CREST²，中部大³，東大理⁴)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-19] 酢酸塩を原料としたゾルゲル法によるCuAlO₂薄膜の形成

阿部寛¹，阿部清晃¹，飯坂涼¹，佐藤拓哉¹，^○惠原貴志^1,2 (石巻専修大理工¹，石巻専修大人間²)

16:00 〜 18:00

△ [17p-PA5-20] エアブラシを用いた塗布法によるn型およびp型酸化亜鉛ナノ粒子層の作製と評価

^○（M1）糸原大貴，篠原風人，吉田俊幸，藤田恭久 (島根大)

16:00 〜 18:00

▲ [17p-PA5-21] PEDOT:PSS and MoOx doped-Reduced Graphene Oxide/Single Walled Carbon Nanotubes Hybrid Film-Based Transparent Conductive Electrodes for Light Emitting Diodes

^〇Byeong Ryong Lee，Kyeong Heon Kim，Kie Young Woo，Sukwon Kim，Hee Woong Shin，Su Jin Kim，Tae Geun Kim (School of Electrical Engineering, Korea University)

16:00 〜 18:00

[17p-PA5-22] ZnO-SnO₂薄膜を用いたTFTの低温形成（Ⅲ）

^○佐藤和郎，山田義春，村上修一，筧芳治，櫻井芳昭 (大阪府立産技研)