[18a-A20-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:00 A20 (E312)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[18a-A20-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
Siウェハに直接接合したInGaAsP多重量子井戸薄膜の高温環境耐性

^○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治 (NTTフォトニクス研)

09:15 〜 09:30

^○渡邉冬馬¹，竹内美由紀²，中野義昭¹，杉山正和¹ (東大工¹，東大農²)

09:30 〜 09:45

白藤重俊¹，三浦広平²，猪口康博²，^○河村裕一¹ (大阪府立大¹，住友電気工業²)

09:45 〜 10:00

^○有方卓¹，京野孝史¹，藤井慧¹，三浦広平²，秋田勝史¹ (住友電工半技研¹，住友電工伝デ研²)

10:00 〜 10:15

^○小谷晃央^1,2,3，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子¹，東大生研²，シャープ³)

10:15 〜 10:30

^○影山健生¹，渡邉克之²，角田雅弘¹，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

休憩10:30～10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○富永依里子，冨保勇貴，角屋豊 (広大院先端研)

11:00 〜 11:15

^○竹鶴達哉，前田章臣，辻大介，藤川紗千恵，藤代博記 (東理大院基礎工)

11:15 〜 11:30

^○石田暢之¹，定昌史²，間野高明¹，野田武司¹，佐久間芳樹¹，藤田大介¹ (物材機構¹，理研²)

11:30 〜 11:45

^○原田幸弘，馬場健，海津利行，喜多隆 (神戸大院工)

11:45 〜 12:00

^○馬場健，原田幸弘，海津利行，喜多隆 (神戸大院工)