[18a-A22-1~12] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:15 A22 (E314)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[18a-A22-1] プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討

^○横山大樹，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

09:15 〜 09:30

^○木原雄平，山本晋吾，塩島謙次 (福井大院工)

09:30 〜 09:45

^○山本晋吾，木原雄平，塩島謙次 (福井大院工)

09:45 〜 10:00

^○藤原諒太¹，板井勇樹¹，劉強¹，李柳暗¹，大野泰夫²，敖金平¹ (徳島大院¹，eデバイス²)

10:00 〜 10:15

^○秋山芳広，丹羽亮介，榊裕之 (豊田工大)

10:15 〜 10:30

^○川嶋智仁，齋藤玲子，薮原秀彦 (東芝生産技術センター)

休憩10:30～10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○成田知隆，片山雄貴，分島彰男，江川孝志 (名古屋工大)

11:00 〜 11:15

^○坂井田佳紀，徳田博邦，葛原正明 (福井大院工)

11:15 〜 11:30

^○小林洋平¹，吉嗣晃治²，徳田博邦¹，堀田昌宏²，浦岡行治²，葛原正明¹ (福井大院工¹，奈良先端科学技術大学院大²)

11:30 〜 11:45

^○水江千帆子，市川弘之，井上和孝 (住友電工伝デ研)

11:45 〜 12:00

^○宮脇彬¹，岡本真里¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，齋藤渉³，大橋弘通¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター&ストレージ社³)

12:00 〜 12:15

^○吉嗣晃治，堀田昌宏，浦川哲，石河泰明，浦岡行治 (奈良先端大)