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[18p-B1-1~22] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2014年9月18日(木) 13:15 〜 19:00 B1 (セミナー１)

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13:15 〜 13:30

[18p-B1-1] 酸化グラフェンの酸化還元反応を用いた固体イオニクスデバイス

^○土屋敬志，鶴岡徹，寺部一弥，青野正和 (物材機構)

13:30 〜 13:45

[18p-B1-2] 還元・構造修復に伴う酸化グラフェン薄膜のキャリア伝導機構変化

^○根岸良太¹，赤堀誠誌²，山田省二²，小林慶裕¹ (阪大院工¹，北陸先端大²)

13:45 〜 14:00

[18p-B1-3] 窒素ドープグラフェンの構造安定性と電子状態

梅木暁図^1,2，^○赤石暁^1,2，中村淳^1,2 (電通大院先進理工¹，JST-CREST²)

14:00 〜 14:15

[18p-B1-4] 窒素ドープグラフェンにおける酸素吸着活性

^○赤田圭史，小幡誠司，斉木幸一朗 (東大新領域)

14:15 〜 14:30

[18p-B1-5] 窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着

^○市川諒英^1,2，赤石曉^1,2，中村淳^1,2 (電通大院先進理工¹，JST-CREST²)

14:30 〜 14:45

[18p-B1-6] グラフェンからの二次電子発生機構の研究

^○的場健佑，入田賢，籾内雄太，加藤大樹，本間芳和 (東理大理)

14:45 〜 15:00

[18p-B1-7] Photocurrent generation of graphene p-n junction formed by interface modification

^○Shengnan Wang，関根佳明，鈴木哲，前田文彦，日比野浩樹 (NTT物性研)

15:00 〜 15:15

[18p-B1-8] 微細加工Si基板上GOSグラフェンの電荷移動領域観察

^○田島圭一郎¹，井出隆之¹，永村直佳²，堀場弘司³，尾嶋正治³，吹留博一¹，末光眞希¹ (東北大通研¹，東北大多元研²，東大放射光連携研究機構³)

15:15 〜 15:30

[18p-B1-9] SiC上グラフェンのラマンスペクトルにおける表面成分抽出

^○青木翔，呉龍錫，井口宗明，中島健志，永瀬雅夫 (徳島大)

15:30 〜 15:45

[18p-B1-10] 非接触走査型非線形誘電率顕微鏡による水素インターカレートされた4H-SiC(0001)上グラフェンの観察

^○山末耕平，吹留博一，舩窪一智，末光眞希，長康雄 (東北大通研)

15:45 〜 16:00

[18p-B1-11] 4H-SiC(000-1)エピタキシャルグラフェンの空間分解ラマン分光法とフェムト秒キャリアダイナミクス

^○重政英史，久津間保徳，大谷昇，金子忠昭，玉井尚登 (関学大理工)

16:00 〜 16:15

[18p-B1-12] 金ナノ粒子表面増強ラマン散乱分光を用いたgraphene/SiC界面のバッファー層の精密分析

^○関根佳明¹，日比野浩樹¹，小栗克弥¹，岩本篤²，永瀬雅夫²，影島博之¹，赤崎達志¹ (NTT物性基礎研¹，徳島大工²)

休憩16:15～16:30 (16:15 〜 16:30)

16:30 〜 16:45

[18p-B1-13] グラフェンとNiの界面反応の微視的「その場」観察

^○長谷川美佳¹，吹留博一¹，小嗣真人²，大河内拓雄²，木下豊彦²，伊藤俊³，末光眞希^1,4 (東北大通研¹，JASRI/SPring-8²，東北大金研³，JST/CREST⁴)

16:45 〜 17:00

[18p-B1-14] グラフェン/h-BN複合ナノリボンのゼーベック係数

^○（M2）綾子陽介^1,2，赤石暁^1,2，中村淳^1,2 (電通大院先進理工¹，JST-CREST²)

17:00 〜 17:15

[18p-B1-15] 単層グラフェン電気二重層トランジスタの電子状態のESR研究

^○藤田直大¹，松本大佑¹，櫻井勇希¹，河原憲治²，吾郷浩樹²，竹延大志³，丸本一弘^1,4 (筑波大院数物¹，九大先導研²，早大院先進³，筑波大学際セ⁴)

17:15 〜 17:30

[18p-B1-16] グラフェンにおける化学ドーピングと有機分子の仕事関数との相関

^○増島弘顕，森健彦，早水裕平 (東工大院理工)

17:30 〜 17:45

[18p-B1-17] HfO₂下のグラフェンについての電気伝導の第一原理解析

^○金子智昭^1,2，大野隆央^1,2,3 (物材機構¹，MARCEED²，東大生産研³)

17:45 〜 18:00

[18p-B1-18] Y₂O₃(111)上グラフェンの安定性についての第一原理解析

^○金子智昭^1,2，大野隆央^1,2,3 (物材機構¹，MARCEED²，東大生産研³)

18:00 〜 18:15

[18p-B1-19] Graphene/MoS₂ファンデルワールスヘテロ構造におけるショットキー障壁のゲート変調

^○佐田洋太¹，山口健洋¹，井上義久¹，矢吹直人¹，森川生¹，守谷頼¹，増渕覚^1,2，町田友樹^1,2 (東大生産研¹，東大ナノ量子機構²)

18:15 〜 18:30

[18p-B1-20] グラフェン／ｈ−ＢＮモアレ超格子におけるグラフェンのバンド構造変調とHofstadter Butterfly構造の観測

^○増渕覚^1,2，柏木麗奈¹，森川生¹，渡邊賢司³，谷口尚³，町田友樹^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子²，物材機構³)

18:30 〜 18:45

[18p-B1-21] 緩やかに変化する1軸局所ひずみを導入したグラフェンの電気伝導特性

^○友利ひかり^1,2，平出璃音可^1,2，田中宏和^1,2，大塚洋一¹，神田晶申^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²)

18:45 〜 19:00

[18p-B1-22] グラフェンへの界面電荷移動効果に対する電極接合と表面吸着子の競合

^○野内亮¹，松本守広¹，谷垣勝己² (阪府大N2RC¹，東北大WPI-AIMR，院理²)

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