一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-C5-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月18日(木) 13:30 〜 19:15 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:30～13:30 (12:30 〜 13:30)

13:30 〜 14:00

[18p-C5-1] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy

^○木下亨^1,2，小幡俊之¹，永島徹¹，柳裕之¹，Baxter Moody³，三田清二³，井上振一郎^2,4，熊谷義直⁵，纐纈明伯⁵，Zlatko Sitar^3,6 (トクヤマ¹，神戸大²，HexaTech³，情通機構⁴，農工大⁵，ノースカロライナ大⁶)

14:00 〜 14:15

[18p-C5-2] GaN/AlN/GaNフォトカソードにおけるAlN成長温度依存

^○中村亮裕¹，藤井克司²，杉山正和¹，中野義昭¹ (東大院工¹，GS+I²)

14:15 〜 14:30

[18p-C5-3] 高キャリア濃度Siドープn型Al_0.03Ga_0.97N上のAg電極を用いた高反射電極の検討

^○河合俊介¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤﨑研究記念センター²)

14:30 〜 14:45

▲ [18p-C5-4] High light-extraction efficiency induced by evanescent wave coupling effect in GaN-based light-emitting diodes

^○（P）Guodong Hao¹，Ahmed Mohammed Jahir¹，Tokio Takahashi¹，Mitsuaki Shimizu¹，Xue-Lun Wang¹，Hiroyuki Kishi²，Yukiko Hayashi²，Keigo Takeguchi² (AIST¹，Asahi Kasei Corp.²)

14:45 〜 15:00

[18p-C5-5] ZnO透明電極を用いたGaN系LEDの特性改善

^○赤塚雄太，江川孝志，三好実人 (名古屋工大)

15:00 〜 15:15

[18p-C5-6] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流狭窄構造の低抵抗化

^○井野匡貴¹，南川大智¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤崎記念センター²)

15:15 〜 15:30

[18p-C5-7] 窒化物半導体発光トランジスタの高速光出力変調

^○熊倉一英，山本秀樹 (NTT物性研)

休憩15:30～15:45 (15:30 〜 15:45)

15:45 〜 16:15

[18p-C5-8] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
Remarkably Suppressed Luminescence Inhomogeneity in a (0001) InGaN Green Laser Structure

^○船戸充¹，金潤碩¹，平貴之¹，金田昭男¹，川上養一¹，三好隆²，長濱慎一² (京大¹，日亜化学²)

16:15 〜 16:30

△ [18p-C5-9] 変調分光法によるInGaN/GaN LEDの内部電界の観測

^○谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，正直花奈子¹，窪谷茂幸¹，松岡隆志^1,2，本田善央³，天野浩^3,4 (東北大金研¹，JST-CREST²，名大院工³，赤﨑記念研究センター⁴)

16:30 〜 16:45

[18p-C5-10] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法で作製したInGaN/GaN量子井戸ナノ構造の光学特性評価

^○蜂屋諒¹，喜多諒¹，菊池昭彦^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテクセンター²)

16:45 〜 17:00

[18p-C5-11] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるGaNナノ構造作製とその熱力学的解析

^○喜多諒¹，蜂屋諒¹，菊池昭彦^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテクノロジー研究センター²)

17:00 〜 17:15

[18p-C5-12] 分子動力学法による窒化物半導体の超格子構造の格子歪み解析

^○（M2）雨川将大¹，吉村善徳¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九大応力研²)

17:15 〜 17:30

[18p-C5-13] AlN半極性面における表面再構成およびAl原子の吸着脱離に関する理論的検討

^○竹本圭孝，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

17:30 〜 17:45

[18p-C5-14] GaNテンプレート基板とSi基板の常温ウェハ接合

^○土山和晃¹，田原浩行¹，山根啓補¹，関口寛人¹，岡田浩^1,2，若原昭浩¹ (豊技大工¹，EIIRIS²)

休憩17:45～18:00 (17:45 〜 18:00)

18:00 〜 18:15

[18p-C5-15] GaN成長表面におけるC-N結合エネルギーの第一原理計算

^○河村貴宏^1,2，今林弘毅²，丸山美帆子²，今出完²，吉村政志²，森勇介²，森川良忠² (三重大院工¹，阪大院工²)

18:15 〜 18:30

[18p-C5-16] Naフラックス法による半極性面透明GaNバルク結晶育成

^○中村亘志¹，高澤秀生¹，丸山美帆子¹，今出完¹，吉村政志¹，崔成伯^1,2，森田幸弘^1,2，森勇介¹ (阪大院工¹，パナソニック²)

18:30 〜 18:45

[18p-C5-17] Ga-Alフラックスを用いた液相成長法による低酸素分圧下でのAl極性AlN膜の作製

^○（M1）関谷竜太¹，安達正芳¹，大塚誠¹，杉山正史²，飯田潤二²，福山博之¹ (東北大多元研¹，住友金属鉱山²)

18:45 〜 19:00

[18p-C5-18] 酸性アモノサーマル法による高品位GaN高速育成

^○斉藤真^1,2，包全喜^1,3，栗本浩平^1,3，冨田大輔¹，小島一信¹，山崎芳樹¹，鏡谷勇二²，茅野林造³，喬焜¹，石黒徹¹，横山千昭¹，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²，日本製鋼所³)

19:00 〜 19:15

△ [18p-C5-19] メサ加工テンプレート基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長

^○高倉宏幸，冨田将史，神林大介，岩川宗樹，水野陽介，山田純平，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥 (名城大)