[17a-C5-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-C5-2] BGaN成長における基板依存性の検討

^○（M1）上山浩平¹，渥美勝浩¹，三村秀典²，井上翼¹，青木徹²，中野貴之¹ (静大院工¹，静大電研²)

キーワード：BGaN,半導体,MOVPE