[17p-A25-1~12] 薄膜シリコン太陽電池技術の現状と課題

[17p-A25-11] a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍a-Si:H内ボイド構造の解明に向けて － 陽電子消滅パラメータと光学パラメータとの相関 －

^○松木伸行¹，上殿明良² (岐阜大¹，筑波大²)

キーワード：陽電子消滅,アモルファスシリコン,ボイド