[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-C5-16] パルススパッタ法によるhcp金属基板上への窒化物薄膜成長

^○金惠蓮¹，太田実雄¹，田中龍太¹，小林篤¹，上野耕平¹，藤岡洋^1,2 (東大¹，JST-CREST²)

キーワード：スパッタ,窒化物半導体,金属