[17p-C5-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-C5-4] 放射光X線によるNaフラックス法GaN単結晶基板の結晶性評価

^○（M2）福田修平¹，津坂佳幸¹，高野秀和¹，篭島靖¹，野瀬惣市²，竹田晋吾²，横山和司²，松井純爾²，今西正幸³，轟夕摩³，丸山美帆子³，今出完³，吉村政志³，森勇介³ (兵県大院物質理¹，兵庫放射光ナノテク研²，阪大院工³)

キーワード：半導体