[17p-PA5-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-PA5-13] ワイドギャップ半導体β-Ga2O3単結晶のテラヘルツ波吸収測定

^○齋藤伸吾¹，尾沼猛儀²，佐々木公平³，倉又朗人³，関根徳彦¹，笠松章史¹，東脇正高¹ (情通機構¹，東京高専²，タムラ製作所³)

キーワード：キャリア濃度,プラズマ周波数,パワーデバイス