2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18a-A20-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:00 A20 (E312)

11:00 〜 11:15

[18a-A20-8] グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価

竹鶴達哉,前田章臣,辻大介,藤川紗千恵,藤代博記 (東理大院基礎工)

キーワード:InSb,HEMT