[18a-A22-1~12] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18a-A22-4] TiN電極マイクロ波整流用GaN SBDの温度特性

^○藤原諒太¹，板井勇樹¹，劉強¹，李柳暗¹，大野泰夫²，敖金平¹ (徳島大院¹，eデバイス²)

キーワード：窒化物半導体