2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

16.非晶質・微結晶 » 16.1 基礎物性・評価

[18a-A26-1~6] 16.1 基礎物性・評価

2014年9月18日(木) 10:30 〜 12:00 A26 (E319)

10:30 〜 10:45

[18a-A26-1] Ge-Sb-Te系材料におけるAg電極を用いた抵抗スイッチ現象

木田士文,宮邉徹,桑原大輔,中岡俊裕 (上智大理工)

キーワード:カルコゲナイド,メモリ,相変化材料