12:00 〜 12:15
[18a-C1-12] MoSe2 semiconductor indirect-to-direct transition by laser induced etching
キーワード:laser etching,2D material
一般セッション(口頭講演)
03.光・フォトニクス » 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学
2014年9月18日(木) 09:00 〜 12:30 C1 (B11)
12:00 〜 12:15
キーワード:laser etching,2D material