[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-C5-12] CLマッピング測定を用いたAlGaN系半導体における支配的な非輻射再結合経路の直接観察

^○（D）市川修平¹，船戸充¹，岩﨑洋介²，川上養一¹ (京大院工¹，JFEミネラル²)

キーワード：AlGaN,非輻射再結合,点欠陥