[18p-A14-1~18] 7.6 イオンビーム一般

[18p-A14-18] Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価

神川智洋，星野靖，斎藤保直，^○中田穣治 (神奈川大理)

キーワード：イオン注入,半導体