[18p-A16-1~14] 13.4 デバイス／集積化技術

[18p-A16-12] エピタキシャルリフトオフ(ELO)法による大口径薄膜Ge-on-Insulator基板

^○前田辰郎¹，三枝栄子¹，石井裕之¹，服部浩之¹，板谷太郎¹，安田哲二¹，倉島優一¹，高木秀樹¹，青木健志²，由上二郎³，山本武継²，市川磨²，長田剛規²，高田朋幸²，秦雅彦²，小川有人³，菊池俊之³，国井泰夫³ (産総研¹，住友化学²，日立国際電気³)

キーワード：ゲルマニウム,エピタキシャルリフトオフ