[18p-A16-1~14] 13.4 デバイス／集積化技術

[18p-A16-8] 数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅷ):酸化膜応力によるバンド変調

^○鈴木佑弥¹，長嶺由騎¹，山中正博¹，青木孝¹，水野智久¹，前田辰郎² (神奈川大¹，産総研²)

キーワード：Si