[18p-A22-1~15] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-A22-12] デバイスシミュレーションによるGaN系ジャンクションレス・トランジスタにおける閾値電圧特性の検証

^○Minjae Yoon¹，中島昭²，角嶋邦之¹，片岡好則¹，西山彰¹，若林整¹，名取研二¹，筒井一生¹，杉井信之¹，岩井洋¹，西澤伸一²，大橋弘通² (東工大¹，産総研²)

キーワード：ジャンクションレス