[18p-A3-1~16] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[18p-A3-8] らせん状ポリイソシアニドを用いた抵抗変化型不揮発性メモリ

^○（M2）櫻川康志¹，高木遊学²，井改知幸²，酒井平祐¹，村田英幸¹ (北陸先端科学技術大学院大¹，金沢大²)

キーワード：ReRAM,メモリー