[18p-PA7-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-PA7-8] イオン液体の供給による導電性ブリッジメモリの抵抗スイッチング特性制御

^○緒方涼介¹，渡邉浩平¹，原田晃典^1,2，岸田悟^1,3，伊藤俊幸¹，木下健太郎^1,3 (鳥取大工¹，関東電化工業²，TEDREC³)

キーワード：抵抗変化型メモリ,導電性ブリッジメモリ,イオン液体