Growth of compositionally homogeneous P-type Si1-xGex bulk crystal for thermoelectric application

Omprakash Muthusamy

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15．結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18p-PB10-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2014年9月18日(木) 13:30 〜 15:30 PB10 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PB10会場)

13:30 〜 15:30

▲ [18p-PB10-1] Growth of compositionally homogeneous P-type Si1-xGex bulk crystal for thermoelectric application

^○（DC）Omprakash Muthusamy¹，Arivanandhan Mukannan¹，小山忠信¹，百瀬与志美¹，池田浩也¹，立岡浩一¹，岡野泰則²，小澤哲夫³，稲富裕光⁴，Moorthy Babu Sridharan⁵，Dinesh Kumar Aswal⁶，Shovit Bhattacharya⁶，早川泰弘¹ (静岡大電子研¹，大阪大²，静岡理工科大³，宇宙航空研究開発機構⁴，アンナ大⁵，バーバ原子研⁶)

キーワード：SiGe,Ga impurity,Thermoelectric properties