[19a-A19-1~13] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19a-A19-11] アンドープ基板を用いたSi/SiGe量子ドットデバイスのノイズ評価

^○本田拓夢¹，武田健太²，神岡純¹，米田淳³，Marian Marx³，小寺哲夫^4,5，樽茶清悟^2,3,5，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研¹，東大²，理研³，東工大⁴，東大ナノ量子機構⁵)

キーワード：量子ドット,Si,半導体