[19a-C5-1~10] 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜

[19a-C5-2] m面自立基板上のInGaN量子井戸層からの発光特性

^○栗原香¹，長尾哲¹，山口敦史² (三菱化学¹，金沢工大²)

キーワード：窒化物半導体,m面GaN,InGaN