PDF ダウンロード スケジュール 11 いいね! 0 09:30 〜 11:30 [19a-PB5-12] 4H-SiC(0001)表面酸化過程の動的シミュレーションおよび第一原理解析 ○山崎隆浩1,2,小山洋2,3,奈良純1,2,清水達雄4,加藤弘一4,大野隆央1,2,5 (物材機構1,高効率電デバコンソーシアム2,高度情報3,東芝研究開発センター4,東大生産研5) キーワード:SiC,酸化,C面