[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PB6-4] SiNマスクによるGaN選択成長における成長前プロセスの検討

^○シン マン¹，萱沼怜¹，武井優典¹，高橋言緒³，井手利英³，清水三聡³，筒井一生¹，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，産総研³)

キーワード：GaN,SiN,選択成長