2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PB6-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月19日(金) 16:00 〜 18:00 PB6 (第2体育館)

ポスター掲示時間16:00~18:00(PB6会場)

16:00 〜 18:00

[19p-PB6-7] Study on Homo-Epitaxial Growth of GaN by Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (REMOCVD)

○(P)盧翌,小田修,近藤博基,石川健治,関根誠,堀勝 (名大院工)

キーワード:ラジカル励起MOCVD,窒化ガリウム,ホモエピタキシャル成長