[20a-A12-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20a-A12-3] UHVスパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(II)

^○（M1）松久健司，佐久間大樹，三好佑弥，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

キーワード：ZnO,酸化物半導体,酸化物半導体